碳化硅（SiC)

SiC具有带隙宽、热导率高、临界击穿电场高、电子饱和迁移率大等优点，在高温光电子器件、高频器件、微波功率器件、高亮度半导体照明上有广泛应用。SiC半导体的优异材料特性使得其在军用和民用方面具有重要的战略地位，美国、欧洲、日本等发达国家对SiC晶体与关键元器件对我国实行严格禁运和高技术出口限制。

威特斯传感器